1 | 微纳结构表面加工系统 | 170 *** > | 具备微流控芯片制作、衬底片(硅、二氧化硅、氮化硅)微结构制作及光刻胶等离子体去胶功能、清洗功能。其中微纳结构表面镀膜光刻系统指标如下:超净间达到千级标准,具备匀胶、烘烤、曝光、显影、去胶功能等前处理功能。曝光线宽达2μm(2μm正胶,365nm波长情况下);微流控芯片加工系统的指标如下:曝光面积: 100mm x 100mm;分辨力:2um(胶厚2um正胶,365nm波长);对准精度:≤±1um;样片尺寸:直径?15mm-100mm,厚度0.1mm-6mm;紫外激光微加工系统指标如下:最小刻蚀宽度:2μm (对Si);最大刻蚀深度:5μm (对Si);基片尺寸:100mm x 100m;刻蚀深宽比:2:1(对Si);刻蚀均匀性:±5%(4 inch Si片);可刻蚀材料:Si, SiO2, Si3N4。 | 否 |